Ранее неизвестный эффект повышения концентрации носителей заряда в полупроводниках при исследовании оксида галлия открыли ученые ННГУ в составе научного коллектива. По словам авторов, новое знание важно для создания приборов следующего поколения для силовой электроники и других отраслей техники. Результаты научной работы представлены в Applied Physics Letters.«
"Сегодня полупроводниковые материалы являются неотъемлемой частью аналоговой и цифровой электроники. Они совершенно необходимы для многих отраслей промышленности", – рассказали эксперты Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского (ННГУ).
Как сообщила младший научный сотрудник Научно-исследовательского физико-технического института ННГУ Алена Никольская, из-за постоянно растущих требований к рабочей мощности электронных устройств растет спрос на так называемые сверхширокозонные полупроводники.
